东南大学范吉阳教授出版关于碳化硅纳米材料的英文学术专著

今年，东南大学物理系范吉阳教授应邀在德国施普林格出版社（Springer）出版了有关碳化硅纳米材料的英文学术专著——《Silicon Carbide Nanostructures：Fabrication, Structure, and Properties》。该书共300多页，是碳化硅纳米材料研究领域的首部学术专著。该书的共同作者PaulK. Chu是香港城市大学物理与材料科学系教授。

碳化硅是一种非常重要的宽禁带半导体，由于它在高温、高功率和高频微电子器件领域最有希望代替传统的硅半导体，所以多年来备受科学界和工业界的关注，美国Cree等公司已能生产芯片级的碳化硅单晶。近年来，碳化硅纳米材料的研究越来越引起人们的重视，这其中包括量子点、纳米线、纳米管和纳米薄膜等多种低维材料，研究发现，这些材料除了具有碳化硅特有的优异性能外，还具有由小尺度下量子效应所引起的许多新颖特性，使得碳化硅纳米材料既具有重要的基础研究价值，又具有非常吸引人的应用前景。

范吉阳教授和PaulK. Chu教授共同出版的该学术专著总结了近年来在碳化硅纳米材料领域所取得的成就和进展，从材料的制备、结构、性质到应用等各方面都给出了系统的阐述和评论。另外，对于近几十年来在块体碳化硅半导体的结构、电子结构和光学性质等方面所取得的成就，也给出了系统的介绍和总结。（蒋红燕）