【东大新闻网2月28日电】（通讯员 张晓阳）东南大学电子科学与工程学院研究团队在圆片级柔性InP半导体晶体管器件制备和封装技术方面取得重要进展，相关研究成果于近日被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》以《Flexible indium phosphide DHBT frequency boost》为题进行专题报道。
柔性电子技术是目前电子行业所关注的重要研究方向，可广泛应用于电子通信、显示、太阳能电池、可穿戴设备、生物医药等众多技术领域，具有很大的市场前景。然而，目前柔性电子受制于器件频率特性的限制，在速度和带宽等性能指标方面尚不满足高速发展中的无线通信和物联网技术的实际需求。该成果采用先进的半导体器件剥离、转移和柔性封装技术，成功研制了圆片级的柔性InP双异质结双极晶体管（DHBT），在器件工作频率等关键指标方面实现了突破（截止频率 337 GHz、 最高振荡频率485 GHz），显著高于此前报道的各类柔性半导体晶体管器件，并且在制造工艺方面实现了高产率和高一致性。该成果为未来超高工作频率柔性电子技术的发展起到了重要的推动作用。
该工作由东南大学电子科学与工程学院张彤教授团队和中国电子科技集团第五十五研究所共同完成。自2010年来，张彤教授团队在柔性电子、印刷电子、先进封装和纳米焊接技术等领域取得了众多科研成果，在国际高水平期刊发表了系列论文，获得数十项美国发明专利和中国发明专利授权，并长期致力于推动这些研究成果的技术转化，相关成果已得到众多国际工业界杂志、行业网站的关注和专题介绍。
据悉，《Semiconductor Today》总部位于英国，是具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态，该新闻作者Mike Cooke是资深的行业自由记者，于1997年起致力于报道半导体和先进技术行业的发展动态。
Semiconductor Today 新闻报道链接：
http://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/Feb/southeastuni-250221.shtml#
供稿：电子科学与工程学院
（责任编辑：唐瑭 审核：李小男）
